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Toshiba y SanDisk celebraron hoy con una ceremonia y una recepción tradicionales la abertura de Fab 4, la facilidad más última de la fabricación de la oblea de 300m m en las operaciones de Yokkaichi de Toshiba, en la prefectura de Mie, Japón. Se espera que Fab 4 comience la producción en masa en diciembre de 2007 y alcance una capacidad de la producción de 80.000 obleas al mes por la mitad segundo de CY2008.




El fab todavía tiene espacio para ampliar capacidad, y la inversión adicional podría llevar salida 210.000 obleas por mes, en respuesta al aumento proyectado en demanda del mercado futuro. Fab 4 empleará el nanómetro del corte-borde 56 (nanómetro) 1 tecnología de proceso en el start-up, y los planes llaman para una transición gradual a tecnología de 43 nanómetros, comenzando a partir del marzo de 2008.

Fab 4 se diseña para reducir al mínimo cualquier impacto en operaciones de desastres naturales. El nuevo fab permitirá que Toshiba y SanDisk desplieguen los avances más últimos de la tecnología de proceso y de la tecnología de niveles múltiples de la célula y que apoyen a compañías en más lejos realzar competitividad y asegurar la dirección continuada en el mercado de destello de la memoria del NAND.